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ASML的DUV光刻机对比上海微电子光刻机怎么样?

9 月 17, 2023

ASML的DUV光刻机单次曝光也只能做到38纳米线宽,EUV光刻机单次曝光可以做到22纳米线宽,32、28、22、14、10、7纳米等都是通过多次曝光技术做到的,上海微电子单次曝光能达到90纳米已经不错了,光学光刻工艺基本上已经到尽头了,再过十年应该可以追上ASML。

其实,上海微电子单次曝光能达到90纳米算是相当高端了,这个级别能实现,基本的技术都没问题了,或者说总体的技术框架是成立的。5年内国有技术再进一步是完全可以做到的。总之, 虽然跟ASML差了数代,但是能做出90也算不错了。

 

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