ASML的DUV光刻机单次曝光也只能做到38纳米线宽，EUV光刻机单次曝光可以做到22纳米线宽，32、28、22、14、10、7纳米等都是通过多次曝光技术做到的，上海微电子单次曝光能达到90纳米已经不错了，光学光刻工艺基本上已经到尽头了，再过十年应该可以追上ASML。
其实，上海微电子单次曝光能达到90纳米算是相当高端了，这个级别能实现，基本的技术都没问题了，或者说总体的技术框架是成立的。5年内国有技术再进一步是完全可以做到的。总之， 虽然跟ASML差了数代，但是能做出90也算不错了。
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