DC/DC转换器数据表–计算系统损耗-原理图|技术方案

传导损耗是由设备寄生电阻阻碍直流电流在DC/DC转换器中的传导产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当集成上桥臂MOSFET打开后，负载电流就会从其中通过。漏-源通道电阻(RDSON)产生的功率耗散可以用公式1表示：

其中D = = 占空比

对于LM2673这样的非同步设备，在集成MOSFET关闭时，二极管被正向偏置。在此期间，电感电流通过输出电容器、负载和正向偏置二极管降低。负载电流流过二极管产生的功率耗散可以用公式2表示：

其中VF是选定二极管的正向电压降。

除了集成MOSFET与钳位二极管中的传导损耗，电感器中也有传导损耗，因为每一个电感器都有有限的直流电阻（DCR），即线圈中导线的电阻。公式3表示电感器中的功率耗散：

传导损耗取决于负载电流。负载增大时，MOSFET中的传导损耗会增加，而且是主要损耗因素。传导损耗及开关、驱动和内部低压差线性稳压器（LDO）的损耗会产生很多的热量，增加集成电路（IC）的结温。增加的结温可以用公式4表示：

其中ICTj是IC的结温，TA是环境温度，θJA是IC到空气的热阻，ICPd是IC中总功率耗散。
MOSFET的RDSON通常有一个温度系数(RdsonTco)。当IC的结温升高时，RDSON会在温度系数的基础上超出额定值。数据表可能不含有这一参数，而TI的WEBENCH? Power Designer软件可以提供这一信息，并用以计算设计效率，让计算结果更精确。公式5可以根据结温调整RDSON：

其中RdsonNom是数据表中 RDSON的额定值。

RDSON的增加取决于设备的散热性能和结温。不正确的散热可能导致RDSON的大幅增加，引起最大负载效率的大幅下降。当IC的芯片贴装焊盘（DAP）与IC板上的焊接不正确时，就会出现上述情况。

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