(1)实际运行情况已经表明了复合开关的故障率相当高。
(2)由于采用了可控硅等电子元器件其结构复杂成本上升，与交流接触器在价格上难以相比。
(3 )复合开关的过零是由电压过零型光耦检测控制的，从微观上看它并不是真正意义上的过零投切，而是在触发电压低于16V~40V时（相当于2～5电度）导通，因而仍有一点涌流。
(4)复合开关技术既使用可控硅又使用继电器，于是结构就变得相当复杂，并且由于可控硅对dvldt的敏感性也比较容易损坏。
由上述分析比较可见，各种电容器投切开关并非十分完美，有必要进一步研究开发出一种更为理想的电容器过零投切开关。
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