介绍双极型晶体管参数符号及其意义

二、双极型晶体管参数符号及其意义

Cc——-集电极电容

Ccb——-集电极与基极间电容

Cce——-发射极接地输出电容

Ci——-输入电容

Cib——-共基极输入电容

Cie——-共发射极输入电容

Cies——-共发射极短路输入电容

Cieo——-共发射极开路输入电容

Cn——-中和电容（外电路参数）

Co——-输出电容

Cob——-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe——-共发射极输出电容

Coeo——-共发射极开路输出电容

Cre——-共发射极反馈电容

Cic——-集电结势垒电容

CL——-负载电容（外电路参数）

Cp——-并联电容（外电路参数）

BVcbo——-发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo——-基极开路，CE结击穿电压

BVebo——- 集电极开路EB结击穿电压

BVces——-基极与发射极短路CE结击穿电压

BV cer——-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D——-占空比

fT——-特征频率

fmax——-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

hFE——-共发射极静态电流放大系数

hIE——-共发射极静态输入阻抗

hOE——-共发射极静态输出电导

h RE——-共发射极静态电压反馈系数

hie——-共发射极小信号短路输入阻抗

hre——-共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe——-共发射极小信号短路电压放大系数

hoe——-共发射极小信号开路输出导纳

IB——-基极直流电流或交流电流的平均值

Ic——-集电极直流电流或交流电流的平均值

IE——-发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo——-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo——-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo——-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer——-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices——-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex——-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM——-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM——-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

ICMP——-集电极最大允许脉冲电流

ISB——-二次击穿电流

IAGC——-正向自动控制电流

Pc——-集电极耗散功率

PCM——-集电极最大允许耗散功率

Pi——-输入功率

Po——-输出功率

Posc——-振荡功率

Pn——-噪声功率

Ptot——-总耗散功率

ESB——-二次击穿能量

rbb——-基区扩展电阻（基区本征电阻）

rbbCc——-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie——-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe——-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE——-外接发射极电阻（外电路参数）

RB——-外接基极电阻（外电路参数）

Rc ——-外接集电极电阻（外电路参数）

RBE——-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RL——-负载电阻（外电路参数）

RG——-信号源内阻

Rth——-热阻

Ta——-环境温度

Tc——-管壳温度

Ts——-结温

Tjm——-最大允许结温

Tstg——-贮存温度

td————延迟时间

tr——-上升时间

ts——-存贮时间

tf——-下降时间

ton——-开通时间

toff——-关断时间

VCB——-集电极-基极（直流）电压

VCE——-集电极-发射极（直流）电压

VBE——-基极发射极（直流）电压

VCBO——-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEBO——-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCEO——-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER——-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES——-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX——-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp——-穿通电压。

VSB——-二次击穿电压

VBB——-基极（直流）电源电压（外电路参数）

Vcc——-集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VEE——-发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)——-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VBE(sat)——-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VAGC——-正向自动增益控制电压

Vn(p-p)——-输入端等效噪声电压峰值

V n——-噪声电压

Cj——-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv——-偏压结电容

Co——-零偏压电容

Cjo——-零偏压结电容

Cjo/Cjn——-结电容变化

Cs——-管壳电容或封装电容

Ct——-总电容

CTV——-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC——-电容温度系数

Cvn——-标称电容

IF——-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）——-正向平均电流

IFM（IM）——-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限


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