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常用集成电路(IC)封装技术介绍

3 月 18, 2019

常用集成电路(IC)封装技术介绍

1、BGA(ball grid array)
  球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 常用集成电路(IC)封装技术介绍LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 , 常用集成电路(IC)封装技术介绍焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来常用集成电路(IC)封装技术介绍。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
  带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微常用集成电路(IC)封装技术介绍器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
  表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C-(ceramic)
  表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在常用集成电路(IC)封装技术介绍中经常使用的记号。
5、Cerdip
  用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号常用集成电路(IC)封装技术介绍器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在japon,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
  表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
  带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
  板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
9、DFP(dual flat package)
  双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)
  陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP)。
11、DIL(dual in-line)
  DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)
  双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围常用集成电路(IC)封装技术介绍标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slimDIP(窄体型DIP)。但多数常用集成电路(IC)封装技术介绍下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。常用集成电路(IC)封装技术介绍,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
  双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)
  双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。常用集成电路(IC)封装技术介绍 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 常用集成电路(IC)封装技术介绍,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在japon,常用集成电路(IC)封装技术介绍EIAJ(japon电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
  同上。japon电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)
  扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
17、flip-chip
  倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸常用集成电路(IC)封装技术介绍。是常用集成电路(IC)封装技术介绍 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但常用集成电路(IC)封装技术介绍基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。常用集成电路(IC)封装技术介绍常用集成电路(IC)封装技术介绍用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本常用集成电路(IC)封装技术介绍的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
  小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
  美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
  带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
  表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
  表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。常用集成电路(IC)封装技术介绍引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,常用集成电路(IC)封装技术介绍封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
  J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)
  无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)
  触点陈列封装。即在底面制作有阵列常用集成电路(IC)封装技术介绍坦电极触点的封装。装配时插入插座常用集成电路(IC)封装技术介绍。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,常用集成电路(IC)封装技术介绍以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。常用集成电路(IC)封装技术介绍常用集成电路(IC)封装技术介绍引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但常用集成电路(IC)封装技术介绍插座制作常用集成电路(IC)封装技术介绍,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其常用集成电路(IC)封装技术介绍会有所常用集成电路(IC)封装技术介绍
26、LOC(lead on chip)
  芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在常用集成电路(IC)封装技术介绍大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
  薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是japon电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L-QUAD
  陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)
  多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)常用集成电路(IC)封装技术介绍基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。 MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 常用集成电路(IC)封装技术介绍基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
  小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)
  常用集成电路(IC)封装技术介绍JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
  美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。japon新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
33、MSP(mini square package)
  QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是japon电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
  模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P-(plastic)
  表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
  凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
  印刷电路板无引线封装。japon富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引 脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
  塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
  陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的常用集成电路(IC)封装技术介绍下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本,封装基材常用集成电路(IC)封装技术介绍玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 常用集成电路(IC)封装技术介绍,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
40、piggy back
  驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
  带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 常用集成电路(IC)封装技术介绍操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,japon电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
  有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分 LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。
43、QFH(quad flat high package)
  四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,常用集成电路(IC)封装技术介绍防止封装本体断裂,QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
  四侧I

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