增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD；耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。
1、结构和符号(以N沟道增强型为例)
在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2、工作原理(以N沟道增强型为例)
(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0， ID =0
VGS必须大于0
管子才能工作。
。 （本文来源网络整理，目的是传播有用的信息和知识，如有侵权，可联系管理员删除）
版权声明：网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播，或不应无偿使用，请及时联络我们，采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。