据我们了解，代工厂和OSAT正在开发更先进的fan-out，有些还在封装内部垂直堆叠裸片，一方面填补了低成本fan-out和封装系统之间的中间地带，另一方面也填补了2.5D和3D芯片之间的中间地带。 这些新的fan-out比以前的迭代产品具有更密集的互连，在某些情况下，它们包括多个布线层彼此堆叠在一起。台积电数月前已经拥有了这种堆叠技术，包括集成Fan-Out（InFo），现在，一些OSAT也正在采用自己的版本。 直到最近，fan-out几乎完全被视为低成本的高级封装选择，它基本上缩小了原本可以在PCB上找到的元件，并将所有元件都放在一个封装中。这种方法有许多优点。首先，把所有元件都放进小封装可以降低材料成本。其次，通过缩短信号传输距离，与更大的、完全集成的SoC相比，性能会提升，同时驱动这些信号所需要的电量也会下降。第三，通过将不同节点开发的芯片集成到同一器件中，芯片制造商可以优化布局规划，以减少诸如串扰、电源噪声和电迁移等物理效应。 这并不意味在低端fan-out的工作在减少。事实上，情况正好相反。新的EDA工具和流程正在开发和推出，面板级封装方法也适用于具有足够产量的器件。但高端fan-out将这种封装方式推向了一个新的方向，重点在于减少线路和空间以获得更高的密度，并显着提高性能。虽然大多数fan-out都有8μm以上的线路和空间，但是在新器件中可能会低至2μm。（线路和空间是金属轨迹的宽度和间距。）
图1：低密度fan-out vs高密度fan-out。 （来源：ASE/SEMI行业战略研讨会） Advanced Semiconductor Engineering（ASE）高级工程总监John Hunt表示：“大家都在考虑推出低端解决方案，但我们也将其视为高端解决方案。对于制造fan-out，你可以把一个芯片直接放在另一个芯片上。这对光子来说很好，因为大家希望它在50μm以内。你也可以使用fan-out作为裸片基板的替代品，因此你可以将芯片翻转到封装上。这样便可以让热量向下传递，跟向上传递一样。 ”
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