在FPGA设计过程中，使用好双口RAM，也是提高效率的一种方法。
官方将双口RAM分为简单双口RAM和真双口RAM。
简单双口RAM只有一个写端口，一个读端口。
真双口RAM分别有两个写端口和两个读端口。
无论是简单双口RAM还是真双口RAM，在没有读操作的情况下，应将读使能rden信号拉成低电平，节省功耗。
在两种情况下，都应当避免read-during-write，虽然可在软件中进行设置，但是，作为设计者，应当尽量避免此种情况。
对于真双口RAM，还应当避免两个读端口或者两个写端口同时操作同一个地址，RAM中并没有此种冲突解决电路，设计者应该避免这种冲突。
无论是那种双口RAM，读时序图是相同的。
当读使能有效时，数据会在时钟下一个上升沿从Q端输出。
真双口RAM给设计带来很多便利。在高速存储中，需要对连续的数据同时处理，使用简单双口RAM只能读取一个数据，而使用真双口RAM可以同时读取两个数据，这样明显提高读取速度以及处理速度。
调用真双口RAM，如图设置。
这里可以设置时钟方案，而读使能rden并非必须信号。当使用rden信号时，此信号高电平有效，当不使用rden信号时，给定地址，下一个脉冲数据从q端口送出。
这里的设置非常重要，当选中read output ports时，q端会增加一级寄存器。虽然这样增加流水线能够提高电路的速度，但同时从读使能有效到最终数据有效将会多延迟一个时钟周期。在设计中要格外注意。根据设计自行设置。
上面两张图是指定对同一地址操作时的输出。作为设计者，应尽量在自己的设计中避免这种情况发生。
真双口RAM用好了是非常省时间的。之前我们文章中提到硬件FFT的实现，在实现过程中，使用基2的设计方案，需要同时读取两个RAM数据，这种情况下可以使用真双口RAM提高效率。
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