IGBT和MOSFET 器件的隔离驱动技术

1 引言
    开关电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(MOSFET场效应管和IGBT绝缘栅双极性大功率管等)，器件结构的不同，具体的驱动要求和技术也大不。前者属于电流控制器件，要求合适的电流波形来驱动；后者属于电场控制器件，要求的电压来驱动。本文只介绍后者的。
    MOSFET场效应管(以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件)的源-栅是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的动态驱动功率接近于零。但是栅一源构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和关断时的动态驱动功率。小功率MOSFET管的Cgs在10~100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，栅极电容Cgs较大，在1~100nF，因而较大的动态驱动功率。更漏极到栅极的米勒电容Cdg，使栅极驱动功率往往是不可忽视的。
    因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性很有好处。

2 隔离驱动技术现状
    为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有成熟电路。当驱动信号与功率器件不隔离时，驱动电路的设计比较简单，目前也有了许多优秀的驱动集成电路，如国际整流器公司的IR2110。当驱动器的输入端与输出端电气隔离时，有两种途径：采用光电耦合器或是脉冲变压器来提供电气隔离。
2.1 光电耦合器隔离的驱动器
    光电耦合器的优点是体积小巧，缺点是：① 反应较慢，因而具有较大的延迟时间(高速型光电耦合器也大于300ns)；②光电耦合器的输出级隔离的辅助电源供电。

2.2 无源变压器驱动
    用脉冲变压器隔离驱动绝缘栅功率器件有无源、有源和自给电源驱动三种方法。
    无源方法用变压器次级的输出直接驱动绝缘栅器件，这种方法很简单，也不单独的驱动电源。缺点是输出波形失真较大，绝缘栅功率器件的栅-源电容 较大。减小失真的办法是将初级的输人信号改为具有功率的大信号，相应地，脉冲变压器也应取较大体积，但在大功率下，仍不令人满意。另一缺点是当占空比变化较大时，输出驱动脉冲的正负幅值变化太大，导致工作不正常，只适用于占空比变化不大的场合。

2.3 有源变压器驱动
    有源方法中的变压器只提供隔离的信号，在次级另有整形放大电路来驱动绝缘栅功率器件，当然驱动波形较好，但是提供单独的辅助电源供给放大器。而辅助电源不当，会引进寄生的干扰。

2.4 调制型自给电源的变压器隔离驱动器
    采用自给电源技术，只用一个变压器，既省却了辅助电源又能得到较快的速度，当然是不错的方法。目前自给电源的产生有调制和分时两种方法。
    调制技术是比较经典的方法，即对PWM 驱动信号进行高频(几个兆赫)调制，并将调制信号加在隔离脉冲变压器的初级，在次级通过直接整流得到自给电源，而原PWM调制信号则需解调取得。显然，这种方法并不简单。调制式的另一缺点是PWM的解调要信号的延时。调制方式适于传递较低频率的PWM信号。

2.5 分时型自给电源的变压器隔离驱动器
    分时技术是一种较新的技术，原理如上图，将信号和能量的传送采取分时进行的方法，即在变压器输入PWM信号的上升和下降沿只传递PWM信息，在输入信号的平顶阶段传递驱动所的能量。在PWM信号的上升和下降沿只传递信号，基本没有能量传输，因而输出的PWM脉冲的延时和畸变都很小，能获得陡峭的驱动输出脉冲。分时型自给电源驱动器的不足是用于低频时变压器的体积较大，此外自给能量的限制，驱动超过300A/1200V的IGBT比较困难。

3 市场上的驱动器产品简介
    当前市场上的成品驱动器，按驱动信号与被驱动的绝缘栅器件的电气关系来分，可分为直接驱动和隔离驱动两种，其中隔离驱动的隔离元件有光电耦合器和脉冲变压器两种。

3.1 不隔离的直接驱动器
    在Boost、全波、正激或反激等电路中，功率开关管的源极位于输入电源的下轨，PWM IC输出的驱动信号不必与开关管隔离，可以直接驱动。较大的驱动能力，可以加接一级放大器或是串上一个成品驱动器。直接驱动的成品驱动器都采用薄膜工艺制成IC电路，调节电阻和较大的电容由外引脚接入。
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